粒子应用技术创新中心高纯锗探测器制备技术取得重大突破

       近日，大湾区国创中心直属创新平台粒子应用技术创新中心高纯锗探测器系列项目负责人、清华大学工程物理系首席研究员李玉兰领导的项目研发团队，在P型宽能高纯锗探测器的制备技术方面取得重大突破。

       作为国内首次成功实现宽能高纯锗探测器研制，此项重大突破将打破国外企业对我国宽能高纯锗探测器供应的垄断，为高纯锗产业实现国产化提供有力支撑，标志着我国自主研发的高纯锗探测器已达到国外竞品探测器同等指标水平。

宽能型高纯锗探测器的研制及测试检定结果

       该项目团队研发出一种全新的薄窗电极工艺，实现了高纯锗探测器能量响应范围下限由40keV拓展至3keV；优化了前端电子学的噪声性能，以满足更低能区分辨率的严苛需求。宽能高纯锗探测器相较普通同轴高纯锗探测器，具有更宽广的核素识别范围，能探测和识别到更低能区的核素，适用于更多场景，实现更多功能。

       目前该宽能高纯锗探测器已由中国计量科学研究院鉴定并获得证书。